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ON Semiconductor H11G2M

Name: H11G2M
Brand: ON Semiconductor
SKU: H11G2M
Price: 0.896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (643 reviews)

Numéro de pièce MFG: H11G2M

quantité disponible: 84840 Pièces

Prix de référence: USD 0.896

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: H11G2M.pdf

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H11G2M Caractéristiques

Référence fabricant	H11G2M
Numéro de pièce future	FT-H11G2M
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
H11G2M Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Nombre de canaux	1
Tension - Isolement	4170Vrms
Ratio de transfert actuel (min)	1000% @ 10mA
Ratio de transfert actuel (max)	-
Activer / Désactiver le temps (Typ)	5µs, 100µs
Temps de montée / descente (type)	-
Type d'entrée	DC
Le type de sortie	Darlington with Base
Tension - Sortie (Max)	80V
Courant - Sortie / Canal	-
Tension - Forward (Vf) (Typ)	1.3V
Courant - DC Forward (Si) (Max)	60mA
Vce Saturation (Max)	1V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 100°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur	6-DIP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H11G2M Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	H11G2M-FT

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