Référence fabricant | H11F2W |
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Numéro de pièce future | FT-H11F2W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11F2W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | - |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 25µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | MOSFET |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11F2W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11F2W-FT |
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XC7A100T-2FGG676I
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Xilinx Inc.
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EP3SL340F1517C4N
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Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066N2F40E2LG
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10AX057K1F35I1SG
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