Référence fabricant | H11D3M |
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Numéro de pièce future | FT-H11D3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11D3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 5µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 200V |
Courant - Sortie / Canal | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.15V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 80mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11D3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11D3M-FT |
ILQ5-X009T
Vishay Semiconductor Opto Division
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LTV-844HS-TA1
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Lite-On Inc.
LFE2M100E-6FN1152C
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5SGXEBBR2H43I2N
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XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
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