maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B815W
Référence fabricant | H11B815W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11B815W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B815W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 600% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 7500% @ 1mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 300µs, 250µs (Max) |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington |
Tension - Sortie (Max) | 35V |
Courant - Sortie / Canal | 80mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B815W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B815W-FT |
EL816(M)(D)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(X)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(X)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(Y)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(Y)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(M)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(M)(A)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(M)(A))-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(M)(A))-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation