Référence fabricant | H11B3S |
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Numéro de pièce future | FT-H11B3S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B3S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 25V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 100mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B3S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B3S-FT |
H11A617CS
ON Semiconductor
H11A617CSD
ON Semiconductor
H11A617D
ON Semiconductor
H11A617D300
ON Semiconductor
H11A617D3S
ON Semiconductor
H11A617D3SD
ON Semiconductor
H11A617DS
ON Semiconductor
H11A617DSD
ON Semiconductor
H11A8173S
ON Semiconductor
H11A817A3S
ON Semiconductor
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel