maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B3S1(TA)
Référence fabricant | H11B3S1(TA) |
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Numéro de pièce future | FT-H11B3S1(TA) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B3S1(TA) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B3S1(TA) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B3S1(TA)-FT |
H11A1S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
H11A1S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11A1S(TB)
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H11A1S(TB)-V
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H11A1S1(TA)
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H11A1S1(TA)-V
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H11A1S1(TB)
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H11A1S1(TB)-V
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H11A2S(TA)
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H11A2S(TA)-V
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LFE2M100E-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-1
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
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10AX048H2F34E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEBBR2H43I2N
Intel
XA7A50T-2CPG236I
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LCMXO2-1200ZE-3MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C5
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EPF10K100EQC240-2N
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