maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B3-V
Référence fabricant | H11B3-V |
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Numéro de pièce future | FT-H11B3-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B3-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B3-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B3-V-FT |
EL814S1(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL814S1(TU)-V
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EL815(S)(TD)
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EL815(S)(TD)-V
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EL815(S)(TU)
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EL815(S)(TU)-V
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EL815(S1)(TD)
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EL815(S1)(TD)-V
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EL815(S1)(TU)-V
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XC3S1400A-4FGG676C
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XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FGG456C
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Xilinx Inc.
APA1000-FG896M
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M1A3P400-1FG256I
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10AX032H3F35I2SG
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LFEC20E-5FN484C
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ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel