Référence fabricant | H11B2M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11B2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B2M-FT |
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
ON Semiconductor
MCT5201SR2M
ON Semiconductor
MCT2ESM
ON Semiconductor
AGL030V5-QNG68
Microsemi Corporation
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG484M
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE75F23I8L
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EBC356-2
Intel