maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B255W
Référence fabricant | H11B255W |
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Numéro de pièce future | FT-H11B255W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B255W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 100mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B255W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B255W-FT |
CNW11AV1300
ON Semiconductor
CNW11AV2
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CNW83300
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A54SX32A-FTQ144
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XC2V2000-4FGG676C
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5SEEBF45C4N
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XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel