Référence fabricant | H11B1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11B1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 125µs, 100µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 80mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B1-FT |
4N27S
Lite-On Inc.
4N27S-TA
Lite-On Inc.
4N28S
Lite-On Inc.
4N28S-TA1
Lite-On Inc.
4N35S-TA
Lite-On Inc.
4N37S
Lite-On Inc.
4N37S-TA
Lite-On Inc.
CNY17-1S-TA1
Lite-On Inc.
CNY17-2S-TA
Lite-On Inc.
CNY17-2S-TA1
Lite-On Inc.
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel