maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B1S1(TB)-V
Référence fabricant | H11B1S1(TB)-V |
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Numéro de pièce future | FT-H11B1S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B1S1(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B1S1(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B1S1(TB)-V-FT |
CNY17F-2S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-2S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-2S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-2S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-2S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-3S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-3S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-3S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-3S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-3S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100U484I7N
Intel
10M08SCE144I7G
Intel
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C6NES
Intel
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S20F780C7
Intel
EPF10K40RC208-3
Intel