maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A817BW
Référence fabricant | H11A817BW |
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Numéro de pièce future | FT-H11A817BW |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A817BW Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 130% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 260% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 2.4µs, 2.4µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A817BW Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A817BW-FT |
EL814M-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL815(M)
Everlight Electronics Co Ltd
EL815(M)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(A)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(A)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(B)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(B)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(C)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(M)(C)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EP1K30TI144-2
Intel
XC7K410T-1FBG676I
Xilinx Inc.
EP1M120F484C6N
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5SGXEABN2F45I2
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EP1AGX90EF1152C6
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XC5VFX200T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1158I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C7
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