maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A617B3S
Référence fabricant | H11A617B3S |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11A617B3S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A617B3S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 63% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 125% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 2.4µs, 2.4µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A617B3S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A617B3S-FT |
EL816(S1)(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL816(S1)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP2AGX65DF29I5
Intel
EP4CE55F29C8L
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel