maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A5S(TA)-V
Référence fabricant | H11A5S(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-H11A5S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A5S(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 30% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A5S(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A5S(TA)-V-FT |
4N38S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
4N38S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N38S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N38S1(TB)-V
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CNY17-1S(TA)
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CNY17-1S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S(TB)
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CNY17-1S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF6016TC144-3N
Intel
A3P600L-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C3N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EPF10K40RC240-4
Intel