maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A5M-V
Référence fabricant | H11A5M-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11A5M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A5M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 30% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A5M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A5M-V-FT |
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
4N29S
ON Semiconductor
4N29SD
ON Semiconductor
CNY172SVM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA4K2F40C1N
Intel
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP1S30F780C8
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel