maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A2M-V
Référence fabricant | H11A2M-V |
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Numéro de pièce future | FT-H11A2M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A2M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A2M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A2M-V-FT |
4N26SM
ON Semiconductor
4N273S
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4N27FR2M
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4N29S
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4N29SD
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XC4005E-2TQ144C
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-1QNG48I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
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EP3SL150F1152I4LN
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XC7VX1140T-L2FLG1928E
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XC7K410T-2FFG676C
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144I
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EP1S40F780C7N
Intel