maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A1TVM
Référence fabricant | H11A1TVM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11A1TVM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A1TVM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1TVM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A1TVM-FT |
CNY17F2SR2M
ON Semiconductor
CNY174SR2VM
ON Semiconductor
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor
4N37SR2VM
ON Semiconductor
H11A1SR2M
ON Semiconductor
MOC8106SR2M
ON Semiconductor
4N35SR2VM
ON Semiconductor
4N37SR2M
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SVM
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
10AX022E4F27I3LG
Intel
5SGXMB9R2H43C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-12FFG676C
Xilinx Inc.
EP1AGX50DF780I6N
Intel
EP1C20F324C8N
Intel