maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A1M-V
Référence fabricant | H11A1M-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11A1M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A1M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A1M-V-FT |
CNY17F3SR2M
ON Semiconductor
4N30SR2M
ON Semiconductor
4N26SM
ON Semiconductor
4N273S
ON Semiconductor
4N273SD
ON Semiconductor
4N27FM
ON Semiconductor
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4010XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400E-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel