maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / GWM70-01P2
Référence fabricant | GWM70-01P2 |
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Numéro de pièce future | FT-GWM70-01P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GWM70-01P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | ISOPLUS-DIL™ |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS-DIL™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GWM70-01P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GWM70-01P2-FT |
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