maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / GTVA263202FC-V1-R2
Référence fabricant | GTVA263202FC-V1-R2 |
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Numéro de pièce future | FT-GTVA263202FC-V1-R2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GaN |
GTVA263202FC-V1-R2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | HEMT |
La fréquence | 2.62GHz ~ 2.69GHz |
Gain | 17dB |
Tension - Test | 48V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 200mA |
Puissance - sortie | 340W |
Tension - nominale | 125V |
Paquet / caisse | H-37248-4 |
Package d'appareils du fournisseur | H-37248-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTVA263202FC-V1-R2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GTVA263202FC-V1-R2-FT |
A2T26H160-24SR3
NXP USA Inc.
A2T26H165-24SR3
NXP USA Inc.
A2T27S020GNR1
NXP USA Inc.
A2T27S020NR1
NXP USA Inc.
A2V07H400-04NR3
NXP USA Inc.
A2V07H525-04NR6
NXP USA Inc.
A2V09H300-04NR3
NXP USA Inc.
A2V09H525-04NR6
NXP USA Inc.
AFT09H310-04GSR6
NXP USA Inc.
AFT09S200W02GNR3
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel