maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - photoélectriques, industriels / GTE10-P1212
Référence fabricant | GTE10-P1212 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GTE10-P1212 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G10 |
GTE10-P1212 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Méthode de détection | Proximity |
Distance de détection | 0.787" ~ 51.181" (20mm ~ 1.3m) |
Tension - Alimentation | 10V ~ 30V |
Temps de réponse | 500µs |
Configuration de sortie | PNP |
Méthode de connexion | Cable |
Protection contre la pénétration | IP67 |
Longueur de câble | 78.74" (2m) |
Source de lumière | Red (625nm) |
Type d'ajustement | Adjustable, Potentiometer |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 60°C (TA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTE10-P1212 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GTE10-P1212-FT |
GRTE18S-N234Z
SICK, Inc.
GRTE18S-N2362
SICK, Inc.
GRTE18S-N2367
SICK, Inc.
GRTE18S-N236Z
SICK, Inc.
GRTE18S-P1312
SICK, Inc.
GRTE18S-P1317
SICK, Inc.
GRTE18S-P1342
SICK, Inc.
GRTE18S-P1347
SICK, Inc.
GRTE18S-P134Z
SICK, Inc.
GRTE18S-P1362
SICK, Inc.
AT6010A-4AI
Microchip Technology
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
AGL030V2-QNG48I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C50F672C8N
Intel
EP3C25F256C7
Intel
EP1AGX90EF1152I6N
Intel
LFE2-6E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation