maison / des produits / Protection de circuit / Arrêts de tube à décharge de gaz (GDT) / GTCN36-251M-R10
Référence fabricant | GTCN36-251M-R10 |
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Numéro de pièce future | FT-GTCN36-251M-R10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GT |
GTCN36-251M-R10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Étincelle CC (Nom) | 250V |
Courant de décharge d'impulsion (8 / 20µs) | 10000A (10kA) |
Tolérance | ±20% |
Nombre de pôles | 3 |
Fail Short | No |
Type de montage | User Defined |
Paquet / caisse | Cylinder No Lead, 3 Terminal |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTCN36-251M-R10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GTCN36-251M-R10-FT |
GTCS23-750M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-900M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-231M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-201M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-301M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-351M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCS23-401M-R01-2
Littelfuse Inc.
GTCR38-231M-R10-FS
Littelfuse Inc.
GTCR38-261M-R10-FS2
Littelfuse Inc.
GTCR38-351M-R10-FS
Littelfuse Inc.
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC4010E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XCS20XL-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3LN
Intel
XCKU3P-2FFVD900E
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EP1C12F324C8
Intel