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Référence fabricant | GTB6-N1212 |
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Numéro de pièce future | FT-GTB6-N1212 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G6 |
GTB6-N1212 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Méthode de détection | Proximity |
Distance de détection | 0.394" (10mm) |
Tension - Alimentation | 10V ~ 30V |
Temps de réponse | 200µs |
Configuration de sortie | NPN - Dark-ON/Light-ON |
Méthode de connexion | Cable |
Protection contre la pénétration | IP67, IP69K |
Longueur de câble | 78.74" (2m) |
Source de lumière | Red (650nm) |
Type d'ajustement | Adjustable, Potentiometer |
Température de fonctionnement | -10°C ~ 50°C (TA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTB6-N1212 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GTB6-N1212-FT |
GRTE18S-N1117
SICK, Inc.
GRTE18S-N1142
SICK, Inc.
GRTE18S-N1147
SICK, Inc.
GRTE18S-N1162
SICK, Inc.
GRTE18S-N1167
SICK, Inc.
GRTE18S-N1312
SICK, Inc.
GRTE18S-N1317
SICK, Inc.
GRTE18S-N1342
SICK, Inc.
GRTE18S-N1347
SICK, Inc.
GRTE18S-N1362
SICK, Inc.
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
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LCMXO1200E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C2N
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EP1S30F780I6
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