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Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Name: GT60N321(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT60N321(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (417 reviews)

Numéro de pièce MFG: GT60N321(Q)

quantité disponible: 27350 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GT60N321(Q).pdf

GT60N321(Q) Caractéristiques

Référence fabricant	GT60N321(Q)
Numéro de pièce future	FT-GT60N321(Q)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GT60N321(Q) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	60A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 60A
Puissance - Max	170W
Énergie de commutation	-
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	330ns/700ns
Condition de test	-
Temps de récupération inverse (trr)	2.5µs
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-3PL
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P(LH)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT60N321(Q) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GT60N321(Q)-FT

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