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Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q)

Name: GT50J121(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT50J121(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (360 reviews)

Numéro de pièce MFG: GT50J121(Q)

quantité disponible: 27800 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GT50J121(Q).pdf

GT50J121(Q) Caractéristiques

Référence fabricant	GT50J121(Q)
Numéro de pièce future	FT-GT50J121(Q)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GT50J121(Q) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	50A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 50A
Puissance - Max	240W
Énergie de commutation	1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	90ns/300ns
Condition de test	300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-3PL
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P(LH)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT50J121(Q) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GT50J121(Q)-FT

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