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Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131(TE12L,Q)

Numéro de pièce MFG
GT10G131(TE12L,Q)
quantité disponible
93000 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- IGBT 400V 1W 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
GT10G131(TE12L,Q).pdf
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GT10G131(TE12L,Q) Caractéristiques

Référence fabricant GT10G131(TE12L,Q)
Numéro de pièce future FT-GT10G131(TE12L,Q)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GT10G131(TE12L,Q) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 400V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
Puissance - Max 1W
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 3.1µs/2µs
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT10G131(TE12L,Q) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GT10G131(TE12L,Q)-FT

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