maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXF120A120S1-D3
Référence fabricant | GSXF120A120S1-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GSXF120A120S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXF120A120S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.35V @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 135ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXF120A120S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXF120A120S1-D3-FT |
DSP45-12A
IXYS
DSP25-16A
IXYS
DSSK80-006B
IXYS
DSEK60-06A
IXYS
DSEC60-06A
IXYS
DSEK60-02A
IXYS
DSSK60-02A
IXYS
DSSK30-018A
IXYS
DSSK80-0045B
IXYS
DSSK60-015A
IXYS
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel