maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXD160A018S1-D3
Référence fabricant | GSXD160A018S1-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GSXD160A018S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXD160A018S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 180V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 160A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 180V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD160A018S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXD160A018S1-D3-FT |
DSEK60-06A
IXYS
DSEC60-06A
IXYS
DSEK60-02A
IXYS
DSSK60-02A
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DSSK30-018A
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DSEC30-06A
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DSEC30-06B
IXYS
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel