maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXD160A010S1-D3
Référence fabricant | GSXD160A010S1-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GSXD160A010S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXD160A010S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 160A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD160A010S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXD160A010S1-D3-FT |
DSEK60-02A
IXYS
DSSK60-02A
IXYS
DSSK30-018A
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DSSK80-0045B
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DSSK60-015A
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DSEC30-12A
IXYS
DSEC30-06A
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DSEC30-06B
IXYS
DSEC60-06B
IXYS
DSEC60-12A
IXYS
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel