maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXD050A012S1-D3
Référence fabricant | GSXD050A012S1-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GSXD050A012S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXD050A012S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD050A012S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXD050A012S1-D3-FT |
DSSK40-0015B
IXYS
DSSK40-006B
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IXYS
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
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10CX085YU484I5G
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10M08DCF256I7G
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5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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