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Référence fabricant | GSOT12C-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSOT12C-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSOT12C-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 13.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 12A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 312W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 115pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT12C-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSOT12C-G3-18-FT |
GSOT24C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel