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Référence fabricant | GSOT08C-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSOT08C-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSOT08C-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 345W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 160pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT08C-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSOT08C-E3-18-FT |
VESD05A5A-HSF-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLIN26A1-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL15T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel