maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / GSOT08C-E3-08
Référence fabricant | GSOT08C-E3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GSOT08C-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSOT08C-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 345W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 160pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT08C-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSOT08C-E3-08-FT |
VBUS054B-HSF-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A5A-HSF-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VCAN26A2-03GHE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VLIN26A1-03G-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
5SGXMABK2H40I3N
Intel
LFE3-70EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel