maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GSIB660-E3/45
Référence fabricant | GSIB660-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GSIB660-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSIB660-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GSIB-5S |
Package d'appareils du fournisseur | GSIB-5S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB660-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSIB660-E3/45-FT |
PB5010-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
PB5008-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT160P-P
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC1005-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC1005/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC101-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC102-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC104-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
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