maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GSIB2580-5401E3/45
Référence fabricant | GSIB2580-5401E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GSIB2580-5401E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSIB2580-5401E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GSIB-5S |
Package d'appareils du fournisseur | GSIB-5S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB2580-5401E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSIB2580-5401E3/45-FT |
GBU6DL-5300M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel