maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GSIB2560N-M3/45
Référence fabricant | GSIB2560N-M3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GSIB2560N-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSIB2560N-M3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GSIB-5S |
Package d'appareils du fournisseur | GSIB-5S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB2560N-M3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSIB2560N-M3/45-FT |
BU12065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU12065S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU15065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU15065S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-BP
Micro Commercial Co
GBU8J-BP
Micro Commercial Co
GBU4M-BP
Micro Commercial Co
GBU10D-BP
Micro Commercial Co
GBU8M-BP
Micro Commercial Co
GBU4B-BP
Micro Commercial Co
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
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5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel