maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GSIB1580-5410E3/45
Référence fabricant | GSIB1580-5410E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GSIB1580-5410E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSIB1580-5410E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 7.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GSIB-5S |
Package d'appareils du fournisseur | GSIB-5S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB1580-5410E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSIB1580-5410E3/45-FT |
GBU4M-7001E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-5001E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-5001M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-7001E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4ML-7001M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5300E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5300M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel