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Référence fabricant | GSE6-N1112 |
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Numéro de pièce future | FT-GSE6-N1112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G6 |
GSE6-N1112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Méthode de détection | Through-Beam |
Distance de détection | 0.394" (10mm) |
Tension - Alimentation | 10V ~ 30V |
Temps de réponse | 200µs |
Configuration de sortie | NPN - Dark-ON/Light-ON |
Méthode de connexion | Cable |
Protection contre la pénétration | IP67, IP69K |
Longueur de câble | 78.74" (2m) |
Source de lumière | Red (650nm) |
Type d'ajustement | Adjustable, Potentiometer |
Température de fonctionnement | -10°C ~ 50°C (TA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N1112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSE6-N1112-FT |
GRTE18-N1142
SICK, Inc.
GRTE18-N1147
SICK, Inc.
GRTE18-N1162
SICK, Inc.
GRTE18-N1167
SICK, Inc.
GRTE18-N2412
SICK, Inc.
GRTE18-N2417
SICK, Inc.
GRTE18-N2442
SICK, Inc.
GRTE18-N2447
SICK, Inc.
GRTE18-N2462
SICK, Inc.
GRTE18-N2467
SICK, Inc.
XC6SLX45T-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2V2000-5FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P1000-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
5AGXFB7H4F35I3N
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel