maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSD2004C-HE3-18
Référence fabricant | GSD2004C-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSD2004C-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSD2004C-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 240V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 225mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 240V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004C-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSD2004C-HE3-18-FT |
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR3020WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel