maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSD2004C-E3-18
Référence fabricant | GSD2004C-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSD2004C-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSD2004C-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 240V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 225mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 240V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004C-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSD2004C-E3-18-FT |
V30100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR3020WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel