maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSD2004A-HE3-18
Référence fabricant | GSD2004A-HE3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GSD2004A-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSD2004A-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 240V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 225mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 240V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004A-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSD2004A-HE3-18-FT |
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30DPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
52CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel