maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSD2004A-HE3-08
Référence fabricant | GSD2004A-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GSD2004A-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSD2004A-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 240V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 225mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 240V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004A-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSD2004A-HE3-08-FT |
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG30DPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel