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Référence fabricant | GS1BE-TP |
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Numéro de pièce future | FT-GS1BE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GS1BE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMAE) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GS1BE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GS1BE-TP-FT |
GKR26/04
GeneSiC Semiconductor
GKR26/08
GeneSiC Semiconductor
GKR26/12
GeneSiC Semiconductor
GKR26/16
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GL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34A-TP
Micro Commercial Co
GL34B-TP
Micro Commercial Co
GL34D-TP
Micro Commercial Co
GL34G-TP
Micro Commercial Co
GL34J-TP
Micro Commercial Co
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
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EPF10K30ABC356-4
Intel