maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / GRM188C80G226MEA0D
Référence fabricant | GRM188C80G226MEA0D |
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Numéro de pièce future | FT-GRM188C80G226MEA0D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GRM |
GRM188C80G226MEA0D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 22µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 4V |
Coéfficent de température | X6S |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.031" (0.80mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GRM188C80G226MEA0D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GRM188C80G226MEA0D-FT |
GRM188R71H561KA01D
Murata Electronics North America
GRM188R71H562KA01D
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GRM188R71H562KA01J
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AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel