maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / GQM1885C1H8R0DB01D
Référence fabricant | GQM1885C1H8R0DB01D |
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Numéro de pièce future | FT-GQM1885C1H8R0DB01D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GQM |
GQM1885C1H8R0DB01D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Capacitance | 8pF |
Tolérance | ±0.5pF |
Tension - nominale | 50V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.035" (0.90mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GQM1885C1H8R0DB01D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GQM1885C1H8R0DB01D-FT |
GCM1885C2A8R3DA16D
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GCM1885C2A8R4DA16D
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AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel