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Référence fabricant | GPAS1007 MNG |
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Numéro de pièce future | FT-GPAS1007 MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GPAS1007 MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPAS1007 MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GPAS1007 MNG-FT |
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF501G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel