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Référence fabricant | GPAS1002 MNG |
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Numéro de pièce future | FT-GPAS1002 MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GPAS1002 MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPAS1002 MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GPAS1002 MNG-FT |
SFAF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel