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Référence fabricant | GP30GEHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GP30GEHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
GP30GEHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP30GEHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP30GEHE3/54-FT |
SBYV28-200-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBYV28-50-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5400-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5403-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5403-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5405-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5405-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG4A-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel