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Référence fabricant | GP2D020A060B |
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Numéro de pièce future | FT-GP2D020A060B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GP2D020A060B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 58A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.65V @ 20A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 70µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 1054pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D020A060B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2D020A060B-FT |
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
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5SGXEB5R2F43C2N
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