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Référence fabricant | GP25M-E3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GP25M-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP25M-E3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP25M-E3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP25M-E3/54-FT |
VS-MUR820PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15D-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15DPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF1NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8AF2NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel